− 世界で初めて開発された50ナノ級DRAM、
業界で唯一インテル認証を獲得
− 60ナノ級製品に比べて50%以上の生産性向上が可能
− 2008年上半期、50ナノ級DDR2/DDR3製品の本格量産を予定
サムスン電子は、
昨年10月に世界で初めて開発した
50ナノ級1ギガDDR2 DRAMに対するインテル認証を獲得しました。
これは、50ナノ級DRAMとしては業界初の認証が完了したもので、特にDDR2製品の中で最高速度である800Mbps（毎秒800Mbのデータ処理）の製品に対して、量産可能なレベルの製品特性を確保したことが公認されたというところに大きな意味があります。
サムスン電子は、今年の3月から業界で初めて60ナノ級1ギガDDR2 DRAMの量産を開始したのに加え、50ナノ級DRAMにおける最初の認証を受けることになりました。
今回、公式的に検証されたサムスン電子の50ナノ級1ギガDDR2 DRAMは、現在主力の量産工程である80ナノに比べて2倍、60ナノ級1ギガDDR2 DRAMに比べて50%以上の生産性向上が可能で、原価競争力が強化されるものと期待されます。
一方、今年下半期のDRAM市場は、Windows Vistaが一般ユーザー用パソコンだけでなく企業用パソコンにまで本格的に採用されることにより、メインメモリーの容量増加と高性能化が加速化されるものと思われます。
また、主力製品が512メガ（Mb）から1ギガ（Gb）へ急激に転換されることはもちろん、次世代製品であるDDR3 DRAMを採用したシステムが市場に登場しながら、DRAM市場に多くの変化が起こるものと予想されます。
今回、インテル認証を完了したサムスン電子の50ナノ級DRAM技術は2008年上半期に量産予定であり、DDR2だけでなくDDR3、グラフィック、モバイルなどDRAM製品群全体に拡大適用される計画です。
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